BSO615NGHUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSO615NGHUMA1 | BSO615NGHUMA1 Inventory, Best Pricing

BSO615NGHUMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	BSO615NGHUMA1
LIXINC Part #	BSO615NGHUMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - arrays
Beschrijving	MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	BSO615NGHUMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	May 21 - May 25 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

BSO615NGHUMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	BSO615NGHUMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - arrays
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	SIPMOS®
pakket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
onderdeel staat:	Obsolete
fet type:	2 N-Channel (Dual)
fet-functie:	Logic Level Gate
afvoer naar bronspanning (vdss):	60V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	2.6A
rds op (max) @ id, vgs:	150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 20µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	20nC @ 10V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	380pF @ 25V
vermogen - max:	2W
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
pakket / koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
apparaatpakket leverancier:	PG-DSO-8