FDG312P | Rochester Electronics FDG312P | FDG312P Inventory, Best Pricing

FDG312P

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	FDG312P
LIXINC Part #	FDG312P
Fabrikant	Rochester Electronics
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	FDG312P PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jun 02 - Jun 06 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

FDG312P Specificaties

Onderdeel nummer:	FDG312P
Merk:	Rochester Electronics
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	Rochester Electronics
serie:	PowerTrench®
pakket:	Bulk
onderdeel staat:	Active
fet type:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	20 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	1.2A (Ta)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	2.5V, 4.5V
rds op (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.5V @ 250µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	5 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±8V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	330 pF @ 10 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	750mW (Ta)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	SC-88 (SC-70-6)
pakket / koffer:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363