IPB042N10N3GE8187ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB042N10N3GE8187ATMA1 | IPB042N10N3GE8187ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPB042N10N3GE8187ATMA1
LIXINC Part #	IPB042N10N3GE8187ATMA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPB042N10N3GE8187ATMA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	Jun 15 - Jun 19 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPB042N10N3GE8187ATMA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPB042N10N3GE8187ATMA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tape & Reel (TR)
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	100 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	100A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	6V, 10V
rds op (max) @ id, vgs:	4.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 150µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	117 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	8410 pF @ 50 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	214W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Surface Mount
apparaatpakket leverancier:	D²PAK (TO-263AB)
pakket / koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB