IPP041N12N3GXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPP041N12N3GXKSA1 | IPP041N12N3GXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPP041N12N3GXKSA1

Vergroten

Alleen voor referentie

Onderdeel nummer	IPP041N12N3GXKSA1
LIXINC Part #	IPP041N12N3GXKSA1
Fabrikant	IR (Infineon Technologies)
Categorie	discrete halfgeleider › transistors - fets, mosfets - single
Beschrijving	MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
Levenscyclus	Actief
RoHS	Geen RoHS-informatie
EDA/CAD-modellen	IPP041N12N3GXKSA1 PCB-voetafdruk en symbool
Magazijnen	VS, Europa, China, Hongkong SAR
Geschatte levering	May 19 - May 23 2024(Kies versnelde verzending)
Garantie	Tot 1 jaar [beperkte garantie]*
Betaling
Verzenden

IPP041N12N3GXKSA1 Specificaties

Onderdeel nummer:	IPP041N12N3GXKSA1
Merk:	IR (Infineon Technologies)
Levenscyclus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categorie:	discrete halfgeleider
Subcategorie:	transistors - fets, mosfets - single
Fabrikant:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pakket:	Tube
onderdeel staat:	Active
fet type:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
afvoer naar bronspanning (vdss):	120 V
stroom - continue afvoer (id) @ 25°c:	120A (Tc)
aandrijfspanning (max rds aan, min rds aan):	10V
rds op (max) @ id, vgs:	4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 270µA
poortlading (qg) (max) @ vgs:	211 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
ingangscapaciteit (ciss) (max) @ vds:	13800 pF @ 60 V
fet-functie:	-
vermogensdissipatie (max):	300W (Tc)
bedrijfstemperatuur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montage type:	Through Hole
apparaatpakket leverancier:	PG-TO220-3
pakket / koffer:	TO-220-3